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MJF3055G	文件：120.98 Kbytes Page：5 Pages	Complementary Silicon Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MJF3055G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-220-3 整包類別：分立半導體產品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS NPN 90V 10A TO220FP	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MMFT3055E	文件：238.4 Kbytes Page：10 Pages	MEDIUMPOWERTMOSFET1.7AMP60VOLTS N–ChannelEnhancementMode SiliconGateTMOSE–FET?SOT–223forSurfaceMount ThisadvancedE–FETisaTMOSMediumPowerMOSFETdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdevicealsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MMFT3055E	文件：196.97 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelTMOSE-FETPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MMFT3055EL	文件：236.71 Kbytes Page：10 Pages	MEDIUMPOWERLOGICLEVELTMOSFET1.5AMP60VOLTS MediumPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancementMode SiliconGateTMOSE–FET? SOT–223forSurfaceMount ThisadvancedE–FETisaTMOSpowerMOSFETdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisdeviceisalsodesignedwithalowthresholdvoltagesoi	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MMFT3055V	文件：91.2 Kbytes Page：4 Pages	TMOSPOWERFET1.7AMPERES60VOLTS TMOSV?SOT-223forSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MMFT3055V	文件：213.32 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MMFT3055VL	文件：224.05 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET1.5AMPERES60VOLT TMOSV?SOT-223forSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MMFT3055VL	文件：224.93 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MMJD3055	文件：206.22 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNepitaxialplanerTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC
MTD3055E	文件：223.14 Kbytes Page：6 Pages	TMOSIVN-ChannelEnhancement-ModePowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceorInsertionMount TMOSPOWERFET8AMPERESRDS(on)=0.15OHM60VOLTS	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD3055EL	文件：380.11 Kbytes Page：6 Pages	TMOSIVPowerFieldEffectTransistor(N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate)	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD3055V	文件：380.65 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. Features 12A,60V.RDS(ON)=0.15?@VGS=10V Lowgatecharge. Fastswitchingspe	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
MTD3055V	文件：206.03 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.15OHM N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.15OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour 50an	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD3055V	文件：81.39 Kbytes Page：12 Pages	PowerMOSFET12Amps,60Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MTD3055V	文件：346.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.15Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MTD3055V	文件：779.96 Kbytes Page：5 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features ?VDS=60V,ID=50A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
MTD3055VL	文件：209.48 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.18OHM TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.18OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour 50and60voltTMOSdevices.JustaswithourTMOS	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD3055VL	文件：86.03 Kbytes Page：12 Pages	PowerMOSFET12Amps,60Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MTD3055VL	文件：179.76 Kbytes Page：3 Pages	M-CHANNELLOGICLEVELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild

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產品屬性

產品編號：
MJF3055G
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
管件
晶體管類型：
NPN
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
2.5V @ 3.3A，10A
電流 - 集電極截止（最大值）：
1μA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
頻率 - 躍遷：
2MHz
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應商器件封裝：
TO-220FP
描述：
TRANS NPN 90V 10A TO220FP

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MJF3055G	onsemi(安森美)	23+	TO-220F	942	原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務	詢價
中天科工半導體（深圳）有限公司	MJF3055G	onsemi	24+	TO-220-3 整包	30000	晶體管-分立半導體產品-原裝正品	詢價
深圳市一線半導體有限公司	MJF3055G	ON	24+	TO-2203LEADFULLPA	8866		詢價
深圳市凌旭科技有限公司	MJF3055G	ON	2016+	TO-220F	3900	只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!	詢價
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深圳市艾宇欣科技有限公司	MJF3055G	ON Semiconductor	2010+	N/A	601	加我qq或微信，了解更多詳細信息,體驗一站式購物	詢價
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更多MJF3055G供應商更新時間2025-1-11 8:12:00

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