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MMBA812M7中文資料三星數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

MMBA812M7
廠商型號(hào)

MMBA812M7

功能描述

PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)

文件大小

25.31 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

1 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-23 17:45:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    MMBA812M7

  • 別名:

    MMBA812M7三極管、MMBA812M7晶體管、MMBA812M7晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_通用 (G)

  • 封裝形式:

  • 極限工作電壓:

    50V

  • 最大電流允許值:

    0.1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

  • 可代換的型號(hào):

    2SA812M7,3CG120C,

  • 最大耗散功率:

    0.3W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    NO

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0.3

MMBA812M7規(guī)格書(shū)詳情

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    MMBA812M7

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全稱:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    PNP(GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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