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MMBT2222ATB	文件：90.22 Kbytes Page：3 Pages	NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE40VoltsPOWER225mWatts FEATURES ?NPNepitaxialsilicon,planardesign ?Collector-emittervoltageVCE=40V ?CollectorcurrentIC=600mA ?IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives MECHANICALDATA Case:SOT-523,Plastic Terminals:SolderableperMIL-STD-750,Meth	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
MMBT2222A-TP	文件：120.01 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MMBT2222ATTD	文件：114.25 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT?416/SC?75packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCo	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MMBT2222AT-TP	文件：113.89 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?Capableof150mWattsofPowerDissipation ?OperatingandStorageJunctionTemperatures-55?to150? ?CollectorCurrent:0.6A	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MMBT2222AW	文件：402.42 Kbytes Page：6 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors NPNGeneralPurposeAmplifiers P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MMBT2222AW	文件：258.67 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarMediumPowerTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarMediumPowerTransistorforswitchingandamplifierapplications	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBT2222AW	文件：1.36804 Mbytes Page：4 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURE ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT2907AW) EpitaxialPlanarDieConstruction IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT2222AW	文件：97.86 Kbytes Page：4 Pages	NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE40VoltsPOWER150mWatts FEATURES ?NPNepitaxialsilicon,planardesign ?Collector-emittervoltageVCE=40V ?CollectorcurrentIC=600mA ?BothnormalandPbfreeproductareavailable: Normal:80~95Sn,5~20Pb Pbfree:98.5Snabove	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
MMBT2222AW	文件：51.67 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeTransistor Features ●Generalpurposetransistor.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
MMBT2222AW	文件：294.11 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE
MMBT2222AW	文件：1.0048 Mbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-323PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-323PlasticPackage. Features Lowpowersurfacemountapplications. Applications Generalpurposeamplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
MMBT2222AW	文件：407.2 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarMediumPowerTransistor	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
MMBT2222FW	文件：268.95 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor FEATURES ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT2907FW) ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT2222L	文件：181.04 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features ?Pb?FreePackageMaybeAvailable.TheG?SuffixDenotesa Pb?FreeLeadFinish	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MMBT2222L	文件：165.55 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant ?SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101Qualifiedand PPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MMBT2222L	文件：227.33 Kbytes Page：9 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon Features ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant ?SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101Qualifiedand PPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MMBT2222Q	文件：257.269 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor FEATURES Powerdissipation PCM:1WTamb=25 Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:75V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJTstg:-55to+150	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT2222T	文件：1.09407 Mbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
MMBT2222T	文件：248.57 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarMediumPowerTransistor	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
MMBT2222W	文件：258.67 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarMediumPowerTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarMediumPowerTransistorforswitchingandamplifierapplications	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

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深圳兆威電子有限公司	MMBT2222AT/R	PANJIT	22+	SOT-23	38402	原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
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