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MMBT2907

PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR GENERALPURPOSETRANSISTOR

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

MMBT2907

PNP General Purpose Amplifier

PNPGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasgeneralpurposeamplifiersandswitchesrequiringcollectorcurrentsto500mA.SourcedfromProcess63.SeePN2907Aforcharacteristics.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

MMBT2907

General Purpose Transistor (PNP)

Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryNPNTypeAvailable(MMBT2222A) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

MMBT2907

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

?Powerdissipation250mW ?PlasticcaseSOT-23 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled

Diotec

Diotec Semiconductor

MMBT2907

PNP General Purpose Transistors

PNPGeneralPurposeTransistors

WEITRON

Weitron Technology

MMBT2907

Marking：M2B；Package：SOT-23；PNP General Purpose Amplifier

FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Idealformediumpoweramplificationandswitching. APPLICATIONS ●Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitching.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

MMBT2907

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. ThetransistorissubdividedintoonegroupaccordingtoitsDCcurrentgain.AscomplementarytypetheNPNtransistorMMBT2222andMMBT2222Aarerecommended.

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導體先之科半導體科技（東莞）有限公司

MMBT2907

Epitaxial planar die construction.

FEATURES Epitaxialplanardieconstruction. Idealformediumpoweramplificationandswitching.

MAKOSEMIMAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

美科半導體美科半導體股份（香港）有限公司

MMBT2907

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintoonegroup accordingtoitsDCcurrentgain.

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

MMBT2907

Marking：M2B；Package：SOT-23；NPN Silicon

PNPSilicon

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實業(yè)有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    MMBT2907

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

  • 性質(zhì)：

    射頻/高頻放大 （HF）_通用 （G）

  • 封裝形式：

  • 極限工作電壓：

    60V

  • 最大電流允許值：

    0.6A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

  • 可代換的型號：

    3CG120C,

  • 最大耗散功率：

    0.35W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    NO

  • vtest：

    60

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.6

  • wtest：

    0.35

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MMBT2907

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.6V @ 50mA，500mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    20nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 150mA，10V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    TRANS PNP 40V 0.8A SOT23-3

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MMBT2907供應商 更新時間2025-1-22 16:36:00

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