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MMBT6517LT3G

High Voltage Transistor

HighVoltageTransistor NPNSilicon Features ?NSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101 QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMBT6517LT3G

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN 350V 0.1A SOT23-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

LMBT6517LT3G

HighVoltageTransistorsNPNSiliconRoHSrequirements.

LRCLeshan Radio Company

樂山無線電樂山無線電股份有限公司

LMBT6517LT3G

HighVoltageTransistors

LRCLeshan Radio Company

樂山無線電樂山無線電股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MMBT6517LT3G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1V @ 5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 50mA,10V

  • 頻率 - 躍遷:

    200MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS NPN 350V 0.1A SOT23-3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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SOT23
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更多MMBT6517LT3G供應(yīng)商 更新時間2025-2-1 15:30:00