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MMBTH10分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MMBTH10
廠商型號

MMBTH10
參數(shù)屬性

MMBTH10 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
功能描述

NPN RF Transistor
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

502.15 Kbytes
頁面數(shù)量

14 頁
生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild【仙童半導體】

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-24 14:22:00

晶體管資料

  • 型號：

    MMBTH10

  • 別名：

    MMBTH10三極管、MMBTH10晶體管、MMBTH10晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

  • 性質(zhì)：

    射頻/高頻放大 （HF）_本級振蕩 （Osc）

  • 封裝形式：

  • 極限工作電壓：

    30V

  • 最大電流允許值：

    0.3A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    NO

  • vtest：

    30

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.3

  • wtest：

    0

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MMBTH10

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    25V

  • 頻率 - 躍遷：

    650MHz

  • 功率 - 最大值：

    225mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    60 @ 4mA，10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    50mA

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEON
24+
SMD
14
C33-外殼
 詢價
FAIRCHILD/仙童
21+
SOT23
2918
詢價
CJ/長電
22+
SOT-23
15240
原裝正品
 詢價
CJ/長電
22+
SOT23
12000
只做原裝、原廠優(yōu)勢渠道、假一賠十
 詢價
長電
19+
SOT-23
84793
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
 詢價
UTC
2020+
SOT-23
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
 詢價
Fairchild
20+
原裝
65790
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
 詢價
ON
22+
SOT-23
3000
原裝正品,支持實單
 詢價
FAIRCHILD/仙童
22+
NA
10500
只有原裝 低價 實單必成
 詢價
Bychip/百域芯
21+
SOT-23
30000
實單必成 質(zhì)強價優(yōu) 可開13點增值稅
 詢價

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