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MMBTH10LT1G分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MMBTH10LT1G
廠商型號

MMBTH10LT1G
參數屬性

MMBTH10LT1G 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產品描述：RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
功能描述

VHF/UHF Transistor
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

128.86 Kbytes
頁面數量

5 頁
生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-1-8 14:17:00

MMBTH10LT1G規(guī)格書詳情

MMBTH10LT1G屬于分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由安森美半導體公司制造生產的MMBTH10LT1G晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

VHF/UHF Transistor

NPN Silicon

Features

? S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications

Requiring Unique Site and Control Change Requirements;

AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

產品屬性

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  • 產品編號：

    MMBTH10LT1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    25V

  • 頻率 - 躍遷：

    650MHz

  • 功率 - 最大值：

    225mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    60 @ 4mA，10V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 描述：

    RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON
24+
SOT23
5000
全新原裝正品,現貨銷售
 詢價
ON(安森美)
23+
SOT-23(SOT-23-3)
13584
公司只做原裝正品,假一賠十
 詢價
ONSemiconductor
18+
NA
3000
進口原裝正品優(yōu)勢供應
 詢價
FSC
2020+
SOT23
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
 詢價
ON/安森美
2315+
SOT23
3668
優(yōu)勢代理渠道,原裝現貨,可全系列訂貨
 詢價
onsemi
24+
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
30000
晶體管-分立半導體產品-原裝正品
 詢價
ON
24+
SOT23
23000
全新原裝現貨,量大特價,原廠正規(guī)渠道!
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ON
23+
SOT-23
113400
詢價
ON(安森美)
22+
NA
8000
原廠原裝現貨
 詢價
ON
22+
SOT-23
3000
原裝正品,支持實單
 詢價

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