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MMBTH10LT3G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

MMBTH10LT3G參考圖片

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原廠(chǎng)料號(hào)：MMBTH10LT3G品牌：ON

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MMBTH10LT3G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商O(píng)N/onsemi生產(chǎn)封裝SOT-23/TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的MMBTH10LT3G晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開(kāi)關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類(lèi)型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號(hào)：

    MMBTH10LT3G

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱(chēng)：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    5 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    97.09 kb

  • 資料說(shuō)明：

    VHF/UHF Transistor

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MMBTH10LT3G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 晶體管類(lèi)型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    25V

  • 頻率 - 躍遷：

    650MHz

  • 功率 - 最大值：

    225mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    60 @ 4mA，10V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 描述：

    RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市能創(chuàng)芯電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱小姐/周先生

  • 手機(jī)：

    13480198326

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-82716865/82718239

  • 傳真：

    0755-83015146

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)紅荔路3011號(hào)上步工業(yè)區(qū)501棟4樓466房

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