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MMBTH10LT3G_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極（BJT）-射頻-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào)：MMBTH10LT3G品牌：onsemi

資料說(shuō)明：RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

MMBTH10LT3G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商O(píng)NSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的MMBTH10LT3G晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開(kāi)關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號(hào)：

    mmbth10lt3g

  • 規(guī)格書(shū)：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說(shuō)明：

    RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MMBTH10LT3G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    25V

  • 頻率 - 躍遷：

    650MHz

  • 功率 - 最大值：

    225mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    60 @ 4mA，10V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 描述：

    RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
onsemi(安森美)
23+
SOT-23(TO-236)
7957
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價(jià)
onsemi
24+
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價(jià)
ONSemiconductor
24+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
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