MT4S300U(TE85L,O,F_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-雙極(BJT)-射頻-Toshiba Semiconductor and Storage

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  • 廠家型號:

    MT4S300U(TE85L,O,F

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 庫存數(shù)量:

    0

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 晶體管-雙極(BJT)-射頻

  • 封裝外殼:

    SC-82A,SOT-343

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 更新時間:

    2025-2-4 8:00:00

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原廠料號:MT4S300U(TE85L,O,F品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

資料說明:X34 PB-F RADIO-FREQUENCY SIGE HE

MT4S300U(TE85L,O,F是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝SC-82A,SOT-343的MT4S300U(TE85L,O,F晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號:

    mt4s300u(te85l,o,f

  • 規(guī)格書:

    原廠下載 下載

  • 資料說明:

    X34 PB-F RADIO-FREQUENCY SIGE HE

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    MT4S300U(TE85L,O,F

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    4V

  • 頻率 - 躍遷:

    26.5GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    0.55dB @ 2GHz

  • 增益:

    16.9dB

  • 功率 - 最大值:

    250mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 10mA,3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-82A,SOT-343

  • 供應商器件封裝:

    USQ

  • 描述:

    X34 PB-F RADIO-FREQUENCY SIGE HE

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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