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MMBTH10M3T5G分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MMBTH10M3T5G
廠商型號

MMBTH10M3T5G
參數(shù)屬性

MMBTH10M3T5G 封裝/外殼為SOT-723；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723
功能描述

NPN VHF/UHF Transistor
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723
封裝外殼

SOT-723
文件大小

125.4 Kbytes
頁面數(shù)量

5 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-5-24 17:14:00
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MMBTH10M3T5G規(guī)格書詳情

MMBTH10M3T5G屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的MMBTH10M3T5G晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

The MMBTH10M3T5G device is a spin?off of our popular SOT?23 three?leaded device. It is designed for general purpose VHF/UHF applications and is housed in the SOT?723 surface mount package. This device is ideal for low?power surface mount applications where board space is at a premium.

Features

? Reduces Board Space

? This is a Halide?Free Device

? This is a Pb?Free Device

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    MMBTH10M3T5G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    25V

  • 頻率 - 躍遷：

    650MHz

  • 功率 - 最大值：

    265mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    60 @ 4mA，10V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-723

  • 供應商器件封裝：

    SOT-723

  • 描述：

    RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON
24+
SOT-723-3
25000
ON全系列可訂貨
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晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
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