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MMIX1G120N120A3V1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-IXYS

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原廠料號：MMIX1G120N120A3V1品牌：IXYS

資料說明：IGBT 1200V 220A 400W SMPD

MMIX1G120N120A3V1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS/IXYS Corporation生產(chǎn)封裝24-PowerSMD，21 引線的MMIX1G120N120A3V1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    mmix1g120n120a3v1

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 資料說明：

    IGBT 1200V 220A 400W SMPD

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MMIX1G120N120A3V1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    GenX3?

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，100A

  • 開關(guān)能量：

    10mJ（開），33mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    40ns/490ns

  • 測試條件：

    960V，100A，1 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    24-PowerSMD，21 引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    24-SMPD

  • 描述：

    IGBT 1200V 220A 400W SMPD

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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