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MMIX1G320N60B3_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-IXYS

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原廠料號(hào)：MMIX1G320N60B3品牌：IXYS

資料說(shuō)明：MOSFET N-CH

MMIX1G320N60B3是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS/IXYS Corporation生產(chǎn)封裝24-PowerSMD，21 引線的MMIX1G320N60B3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    mmix1g320n60b3

  • 規(guī)格書(shū)：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 資料說(shuō)明：

    MOSFET N-CH

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MMIX1G320N60B3

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    GenX3?

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.5V @ 15V，100A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    2.7mJ（開(kāi)），5mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    44ns/250ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，100A，1 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    24-PowerSMD，21 引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    24-SMPD

  • 描述：

    MOSFET N-CH

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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