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MMST3906	文件：169.46 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor Features 1)BVCEO>?40V(IC=?1mA) 2)ComplementstheUMT3904/SST3904/MMST3909/2N3904.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
MMST3906	文件：200.68 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryNPNTypeAvailable(MMST3904) Ultra-SmallSurfaceMountPackage	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MMST3906	文件：42.63 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?BVCEO>-40V ?IC=-200mACollectorCurrent ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?ComplementaryNPNType:MMST3904 ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?Qualifi	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMST3906	文件：328.39 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Powerdissipation. ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementarytoMMST3904. ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Generalpurposeapplicationandswitchingapplication.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司	BILIN
MMST3906	文件：134.29 Kbytes Page：4 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMST3906	文件：322.99 Kbytes Page：9 Pages	150mALOADSWITCHFEATURINGCOMPLEMENTARYBIPOLARTRANSISTORS	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMST3906	文件：127.19 Kbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
MMST3906	文件：203.49 Kbytes Page：3 Pages	PNPSmallSignalTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC
MMST3906	文件：369.47 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●ComplementarytoMMST3904	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽半導體深圳市金譽半導體股份有限公司	HTSEMI
MMST3906	文件：84.13 Kbytes Page：3 Pages	PNPSmallSignalTransistors Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?ComplementaryNPNTypeavailable(MMST3904) ?Ultra-smallsurfacemountpackage ?Marking:K5N ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?Moisu	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC
MMST3906	文件：619.34 Kbytes Page：2 Pages	SOT-323BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(PNP)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MMST3906	文件：245.13 Kbytes Page：3 Pages	PNPSmallSignalTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC
MMST3906	文件：1.09898 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●ComplementarytoMMST3904	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
MMST3906	文件：316.46 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司	BILIN
MMST3906	文件：101.54 Kbytes Page：6 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor Features 1)BVCEO>?40V(IC=?1mA) 2)ComplementstheUMT3904/SST3904/MMST3909/2N3904.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
MMST3906	文件：405.28 Kbytes Page：6 Pages	60VNPNSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMST3906	文件：339.83 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Powerdissipation.(PC=0.2W) Epitaxialplanardieconstruction.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
MMST3906	文件：104.26 Kbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor Features 1)BVCEO>?40V(IC=?1mA) 2)ComplementstheUMT3904/SST3904/MMST3909/2N3904.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
MMST3906	文件：130.59 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.2W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司	WINNERJOIN
MMST3906-TP	文件：84.13 Kbytes Page：3 Pages	PNPSmallSignalTransistors Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?ComplementaryNPNTypeavailable(MMST3904) ?Ultra-smallsurfacemountpackage ?Marking:K5N ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?Moisu	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC

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詳細參數(shù)

型號：
MMPQ3906_Q
功能描述：
兩極晶體管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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