MMUN2235LT1G 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置 ONSEMI/安森美半導體

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廠家型號：
MMUN2235LT1G
產品分類：
芯片
生產廠商：
ON SEMICONDUCTOR
庫存數(shù)量：
10000
產品封裝：
con
生產批號：
24+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-27 15:00:00

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原廠料號：MMUN2235LT1G品牌：ON SEMICONDUCTOR

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MMUN2235LT1G是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置。制造商ON SEMICONDUCTOR/onsemi生產封裝con/TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的MMUN2235LT1G晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置預偏置雙極晶體管具有內部電阻器，設計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作，并產生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量，從而可降低項目成本。

芯片型號：
MMUN2235LT1G
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
ONSEMI【安森美半導體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導體公司
內容頁數(shù)：
12 頁
文件大?。?/span>
140.21 kb
資料說明：
Digital Transistors (BRT)

產品屬性

類型
描述
產品編號：
MMUN2235LT1G
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
NPN - 預偏壓
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 5mA，10V
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
250mV @ 1mA，10mA
電流 - 集電極截止（最大值）：
500nA
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23

供應商

企業(yè)：
北京京北通宇電子元件有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
洪先生
手機：
17862669251
詢價：
電話：
17862669251
地址：
北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505

MMUN2235LT1G 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置 ONSEMI/安森美半導體

MMUN2235LT1G

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