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MMZ0603-E

Chip Beads For signal line MMZ series

FEATURES ?Itissupersmallsize(L0.4?W0.2?T0.2mm). ?Itpreventsradiatednoisefromhigh-speedsignallines. ?Maintainimpedancetohighfrequencyband. ?Becauseitadoptssilverininternalelectrode,itislowDCresistance. ?Becauseitisnotgenerateofcrosstalkwithclosedmagnet

TDKTDK Corporation

TDK株式會社東電化(中國)投資有限公司

MMZ0603-H

ChipbeadsForgeneralsignallineLowDCresistancetype

TDKTDK Corporation

TDK株式會社東電化(中國)投資有限公司

MPZ0603

ChipBeadsForgeneralsignalline

TDKTDK Corporation

TDK株式會社東電化(中國)投資有限公司

MPZ0603

ChipBeadsForpowerlineMPZseries

TDKTDK Corporation

TDK株式會社東電化(中國)投資有限公司

MPZ0603

ChipBeadsForPowerLine

TDKTDK Corporation

TDK株式會社東電化(中國)投資有限公司

MPZ0603-H

ChipbeadsForpowerlineLargecurrent/LowDCresistance

TDKTDK Corporation

TDK株式會社東電化(中國)投資有限公司

MSMA0603

SMDcurrentsensingresistor-metalstrip

Productfeatures ?Lowsensingresistance ?0603(1608metric)to2512(6432metric) ?Highpowerdissipation ?AEC-Q200compliant ?Moisturesensitivitylevel(MSL):1 Applications ?Switched-modepowersupply(SMPS) ?Voltageregulatormodule ?Powermanagement ?Steppermotordrives

EATONEaton All Rights Reserved.

伊頓伊頓公司

MSN0603

60V(D-S)N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited

摩矽半導(dǎo)體摩矽半導(dǎo)體有限公司

MSN0603L

60V(D-S)N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited

摩矽半導(dǎo)體摩矽半導(dǎo)體有限公司

MSN0603Y

60V(D-S)N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited

摩矽半導(dǎo)體摩矽半導(dǎo)體有限公司

MTSFB0603

LowDCR,smallpackage

MENGCOGuangDong Province MengCo Semiconductor Co., Ltd

盟科半導(dǎo)體廣東省盟科半導(dǎo)體有限公司

N0603N

N-CHANNELMOSFETFORSWITCHING

Description TheN0603NisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)=4.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=50A) ?Lowinputcapacitance Ciss=7730pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Highcurrent ID

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

N0603N

N-CHANNELMOSFETFORSWITCHING

Description TheN0603NisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)=4.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=50A) ?Lowinputcapacitance Ciss=7730pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Highcurrent ID

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

N0603N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.6mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NCB0603R

FerriteChipBeads

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

NCB0603RXXX

FerriteChipBeads

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

NP0603

SURFACE-MOUNTCERAMICMULTILAYERCAPACITORS

YAGEOYageo Corporation

國巨臺灣國巨股份有限公司

NPO0603

ceramicchipcapacitors

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

NPO0603AT

CeramicChipCapacitors

KOA

KOA SPEER ELECTRONICS, INC.

NPO0603CT

CeramicChipCapacitors

KOA

KOA SPEER ELECTRONICS, INC.

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
TDK
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SMD被動(dòng)器件正邁科技
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電容電阻被動(dòng)器件電感磁珠系列樣品可出支持批量QQ
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更多MMZ0603-E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-3 10:00:00