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MPSH17RLRAG分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
MPSH17RLRAG |
參數屬性 | MPSH17RLRAG 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 長基體(成形引線);包裝為散裝;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產品描述:RF TRANS NPN 15V 800MHZ TO92-3 |
功能描述 | CATV Transistor |
封裝外殼 | TO-226-3,TO-92-3 長基體(成形引線) |
文件大小 |
42.37 Kbytes |
頁面數量 |
3 頁 |
生產廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導體】 |
中文名稱 | 安森美半導體公司官網 |
原廠標識 | |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-1-26 17:08:00 |
MPSH17RLRAG規(guī)格書詳情
MPSH17RLRAG屬于分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由安森美半導體公司制造生產的MPSH17RLRAG晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
產品屬性
更多- 產品編號:
MPSH17RLRAG
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
15V
- 頻率 - 躍遷:
800MHz
- 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):
6dB @ 200MHz
- 增益:
24dB
- 功率 - 最大值:
350mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
25 @ 5mA,10V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-226-3,TO-92-3 長基體(成形引線)
- 供應商器件封裝:
TO-92(TO-226)
- 描述:
RF TRANS NPN 15V 800MHZ TO92-3
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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