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MRF1513T1中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MRF1513T1
廠商型號

MRF1513T1

功能描述

RF Power Field Effect Transistor N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFET

文件大小

479.56 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-3 11:33:00

MRF1513T1規(guī)格書詳情

RF Power Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies to 520 MHz. The high gain and broadband performance of this device make it ideal for large-signal, common source amplifier applications in 7.5 volt portable and 12.5 volt mobile FM equipment.

? Specified Performance @ 520 MHz, 12.5 Volts

Output Power — 3 Watts

Power Gain — 15 dB

Efficiency — 65

? Capable of Handling 20:1 VSWR, @ 15.5 Vdc, 520 MHz, 2 dB Overdrive

Features

? Excellent Thermal Stability

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.

? In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units per 12 mm, 7 Inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MRF1513T1

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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