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MRF18090AR3

RF Power Field Effect Transistor

1.80-1.88GHz,90W,26VLATERALN-CHANNELRFPOWERMOSFET DesignedforGSMandGSMEDGEbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1.8to2.0GHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforGSMandGSMEDGEcellularradioapplications.

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF18090AR3

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：SOT-957A 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 65V 1.81GHZ NI-880

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF18090AR3

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    1.81GHz

  • 增益：

    13.5dB

  • 功率 - 輸出：

    90W

  • 封裝/外殼：

    SOT-957A

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    NI-880H-2L

  • 描述：

    FET RF 65V 1.81GHZ NI-880

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MRF18090AR3供應(yīng)商 更新時間2025-1-5 10:20:00

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