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MRF18090AR3分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MRF18090AR3 |
| 參數(shù)屬性 | MRF18090AR3 封裝/外殼為SOT-957A；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產品描述：FET RF 65V 1.81GHZ NI-880 |
| 功能描述 | RF Power Field Effect Transistor |
| 封裝外殼 | SOT-957A |
| 文件大小 |
388.59 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產廠商 | Freescale Semiconductor, Inc |
| 企業(yè)簡稱 |
freescale【飛思卡爾】 |
| 中文名稱 | 飛思卡爾半導體官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-11 23:00:00 |
MRF18090AR3規(guī)格書詳情
1.80-1.88 GHz, 90 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET
Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 1.8 to 2.0 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for GSM and GSM EDGE cellular radio applications.
? GSM and GSM EDGE Performances, Full Frequency Band
Power Gain — 13.5 dB (Typ) @ 90 Watts CW
Efficiency — 52 (Typ) @ 90 Watts CW
? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 90 Watts CW Output Power
Features
? Internally Matched for Ease of Use
? High Gain, High Efficiency and High Linearity
? Integrated ESD Protection
? Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness
? Excellent Thermal Stability
? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
? RoHS Compliant
? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.
產品屬性
- 產品編號：
MRF18090AR3
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
1.81GHz
- 增益：
13.5dB
- 功率 - 輸出：
90W
- 封裝/外殼：
SOT-957A
- 供應商器件封裝：
NI-880H-2L
- 描述：
FET RF 65V 1.81GHZ NI-880
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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