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MRF19030LR3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF19030LR3
廠商型號

MRF19030LR3

參數(shù)屬性

MRF19030LR3 封裝/外殼為NI-400;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 1.96GHZ NI-400

功能描述

RF Power Field Effect Transistors

封裝外殼

NI-400

文件大小

425.44 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-13 8:30:00

MRF19030LR3規(guī)格書詳情

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for class AB PCN and PCS base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.

? CDMA Performance @ 1990 MHz, 26 Volts

IS-95 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Thru 13

885 kHz — -47 dBc in 30 kHz BW

1.25 MHz — -55 dBc in 12.5 kHz BW

2.25 MHz — -55 dBc in 1 MHz BW

Output Power — 4.5 Watts Avg.

Power Gain — 13.5 dB

Efficiency — 17

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1960 MHz, 30 Watts CW Output Power

Features

? Internally Matched for Ease of Use

? High Gain, High Efficiency and High Linearity

? Integrated ESD Protection

? Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

? Excellent Thermal Stability

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.

? RoHS Compliant

? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 Inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF19030LR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.96GHz

  • 增益:

    13dB

  • 功率 - 輸出:

    30W

  • 封裝/外殼:

    NI-400

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-400

  • 描述:

    FET RF 65V 1.96GHZ NI-400

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
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TO-59
230
價格優(yōu)勢
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NXP USA Inc.
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