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MRF19030LR3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MRF19030LR3 |
| 參數(shù)屬性 | MRF19030LR3 封裝/外殼為NI-400；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 65V 1.96GHZ NI-400 |
| 功能描述 | The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 封裝外殼 | NI-400 |
| 文件大小 |
594.71 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Motorola, Inc |
| 企業(yè)簡稱 |
Motorola【摩托羅拉】 |
| 中文名稱 | 加爾文制造公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-20 22:59:00 |
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MRF19030LR3規(guī)格書詳情
Designed for class AB PCN and PCS base station applications with frequencies from 1.8 to 2.0 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.
? CDMA Performance @ 1990 MHz, 26 Volts
IS-97 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Thru 13
885 kHz — -47 dBc @ 30 kHz BW
1.25 MHz — -55 dBc @ 12.5 kHz BW
2.25 MHz — -55 dBc @ 1 MHz BW
Output Power — 4.5 Watts Avg.
Power Gain — 13.5 dB
Efficiency — 17
? Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use
? High Gain, High Efficiency and High Linearity
? Integrated ESD Protection
? Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness
? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1.93 GHz, 30 Watts CW Output Power
? Excellent Thermal Stability
? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
? Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.
? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 Inch Reel.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MRF19030LR3
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
1.96GHz
- 增益：
13dB
- 功率 - 輸出：
30W
- 封裝/外殼：
NI-400
- 供應(yīng)商器件封裝：
NI-400
- 描述：
FET RF 65V 1.96GHZ NI-400
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Freescale(飛思卡爾) |
23+ |
NA/ |
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