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MRF19030LR3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF19030LR3
廠商型號(hào)

MRF19030LR3

參數(shù)屬性

MRF19030LR3 封裝/外殼為NI-400;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 1.96GHZ NI-400

功能描述

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

文件大小

594.71 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Motorola摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-5 23:00:00

MRF19030LR3規(guī)格書詳情

Designed for class AB PCN and PCS base station applications with frequencies from 1.8 to 2.0 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.

? CDMA Performance @ 1990 MHz, 26 Volts

IS-97 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Thru 13

885 kHz — -47 dBc @ 30 kHz BW

1.25 MHz — -55 dBc @ 12.5 kHz BW

2.25 MHz — -55 dBc @ 1 MHz BW

Output Power — 4.5 Watts Avg.

Power Gain — 13.5 dB

Efficiency — 17

? Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

? High Gain, High Efficiency and High Linearity

? Integrated ESD Protection

? Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1.93 GHz, 30 Watts CW Output Power

? Excellent Thermal Stability

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.

? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 Inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF19030LR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.96GHz

  • 增益:

    13dB

  • 功率 - 輸出:

    30W

  • 封裝/外殼:

    NI-400

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-400

  • 描述:

    FET RF 65V 1.96GHZ NI-400

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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