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MRF21030SR3

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N-CHANNEL ENANCEMENT- MODE LATERAL MOSFETS

TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFETs DesignedforPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2.0to2.2GHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN–PCS/cell

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

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更多MRF21030SR3供應商 更新時間2025-1-20 15:30:00

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