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MRF281ZR1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MRF281ZR1
廠商型號(hào)

MRF281ZR1

參數(shù)屬性

MRF281ZR1 封裝/外殼為NI-200Z;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 1.93GHZ NI-200Z

功能描述

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

封裝外殼

NI-200Z

文件大小

311.65 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Motorola摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-24 19:10:00

MRF281ZR1規(guī)格書(shū)詳情

The RF Sub–Micron MOSFET Line

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

Designed for digital and analog cellular PCN and PCS base station applications with frequencies from 1000 to 2500 MHz. Characterized for operation Class A and Class AB at 26 volts in commercial and industrial applications.

? Specified Two–Tone Performance @ 1930 and 2000 MHz, 26 Volts

Output Power — 4 Watts PEP

Power Gain — 11 dB

Efficiency — 30

Intermodulation Distortion — –29 dBc

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 2000 MHz, 4 Watts CW Output Power

? Excellent Thermal Stability

? Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

? S–Parameter Characterization at High Bias Levels

? Available in Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 12 mm, 7 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF281ZR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.93GHz

  • 增益:

    12.5dB

  • 功率 - 輸出:

    4W

  • 封裝/外殼:

    NI-200Z

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-200Z

  • 描述:

    FET RF 65V 1.93GHZ NI-200Z

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ORIGINAL
24+
NA
990000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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