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MRF313分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF313
廠商型號

MRF313

參數(shù)屬性

MRF313 封裝/外殼為305A-01;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:TRANS RF NPN 30V 150MA 305A-01

功能描述

The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistor 1.0W, 400MHz, 28V

封裝外殼

305A-01

文件大小

113.98 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 M/A-COM Technology Solutions, Inc.
企業(yè)簡稱

MA-COM

中文名稱

M/A-COM Technology Solutions, Inc.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-28 19:01:00

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MRF313規(guī)格書詳情

The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistor

1.0W, 400MHz, 28V

Designed for wideband amplifier, driver or oscillator applications in military, mobile, and aircraft radio.

? Specified 28 V, 400 MHz characteristics —

Output power = 1.0 W

Power gain = 15 dB min.

Efficiency = 45 typ.

? Emitter ballast and low current density for improved MTBF

? Common emitter for improved stability

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF313

  • 制造商:

    MACOM Technology Solutions

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    30V

  • 頻率 - 躍遷:

    2.5GHz

  • 增益:

    16dB

  • 功率 - 最大值:

    1W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 100mA,10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    150mA

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    305A-01

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    305A-01,1 型

  • 描述:

    TRANS RF NPN 30V 150MA 305A-01

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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