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MRF4427R1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF4427R1
廠商型號(hào)

MRF4427R1
參數(shù)屬性

MRF4427R1 封裝/外殼為8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝為帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 20V 8DBGA
功能描述

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
封裝外殼

8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
文件大小

213.3 Kbytes
頁面數(shù)量

5 頁
生產(chǎn)廠商 Advanced Power Technology
企業(yè)簡稱

ADPOW

中文名稱

Advanced Power Technology官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-30 21:15:00
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MRF4427R1規(guī)格書詳情

DESCRIPTION: Designed for general-purpose RF amplifier applications, such as; pre-drivers, Oscillators, etc.

Features

? Low Cost SO-8 Plastic Surface Mount Package.

? S-Parameter Characterization

? Tape and Reel Packaging Options Available

? Low Voltage Version of MRF3866

? Maximum Available Gain – 20dB(typ) @ 200MHz

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MRF4427R1

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    20V

  • 增益：

    20dB

  • 功率 - 最大值：

    1.5W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    10 @ 10mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    400mA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-dBGA（2x1.5）

  • 描述：

    RF TRANS NPN 20V 8DBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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