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SZ559B

3WattsSurfaceMountZenerDiodes

Features ●CompleteVoltageRange3.9to200Volts ●Highpeakreversepowerdissipation ●Highreliability ●Lowleakagecurrent

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司

SZ559B

3WSiliconZenerDiodes

Features ◇CompleteVoltageRange3.9to200Volts ◇Highpeakreversepowerdissipation ◇Highreliability ◇Lowleakagecurrent

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

SZ559B

SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES

Features Lowleakagecurrent Highreliability Highpeakreversepowerdissipation CompleteVoltageRange3.9to200Volts

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司

TBC559

SILICONPNPEPITAXIALTYPE(PCTPROCESS)

PRIMARILYINTENDEDFORUSEINDRIVERSTAMPLIFIERS. AGEOFAUDIO THETBC559ANDTBC560ISLOWNOISETYPESTAGEOFAUDIOAMPLIFIERS. FEATURES .HighVCE0:-45V(TBC560) -25V(TBC559) .HighhFE=125-475

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TLP559

DigitalLogicGroundIsolationLineReceiverMicroprocessorSystemInterfacesSwitchingPowerSupplyFeedbackControlTransistorInvertor

DigitalLogicGroundIsolation LineReceiver MicroprocessorSystemInterfaces SwitchingPowerSupplyFeedbackControl TransistorInverter TheTOSHIBATLP559consistsofaGaA?Ashigh?outputlightemittingdiodeandahighspeeddetectorofonechipphotodiode?transistor.Thisunitis8?le

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TLP559

SwitchingPowerSupplyFeedbackControl

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TLP559

TOSHIBAPHOTOCOUPLERGaAlAsIRED&PHOTOIC

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TLP559IGM

DigitalLogicGroundIsolationLineReceiverMicroprocessorSystemInterfacesSwitchingPowerSupplyFeedbackControlTransistorInvertor

DigitalLogicGroundIsolation LineReceiver MicroprocessorSystemInterfaces SwitchingPowerSupplyFeedbackControl TransistorInverter TheTOSHIBATLP559consistsofaGaA?Ashigh?outputlightemittingdiodeandahighspeeddetectorofonechipphotodiode?transistor.Thisunitis8?le

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF559G

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    16V

  • 頻率 - 躍遷：

    870MHz

  • 增益：

    9.5dB

  • 功率 - 最大值：

    2W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    30 @ 50mA，10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    150mA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    微型-X 陶瓷 84C

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    微型-X 陶瓷 84C

  • 描述：

    RF TRANS NPN 16V 870MHZ MICRO X

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Microsemi
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SMT
5632
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Microsemi
20+
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23+
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原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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68500
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SMD-4
31835
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
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更多MRF559G供應(yīng)商 更新時間2025-4-17 14:02:00

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