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MRF5S19150HSR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

1930-1990MHz,32WAVG.,28V2xN-CDMALATERALN-CHANNELRFPOWERMOSFETs DesignedforPCNandPCSbasestationapplicationsatfrequenciesfrom1900to2000MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications. ?Typical2-CarrierN-CDMAPerformanceforVDD=28Volts,IDQ=

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF5S19150HSR3

Package：NI-880S；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF5S19150HSR3

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    1.99GHz

  • 增益：

    14dB

  • 功率 - 輸出：

    32W

  • 封裝/外殼：

    NI-880S

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    NI-880S

  • 描述：

    FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Freescale
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更多MRF5S19150HSR3供應(yīng)商 更新時間2025-3-11 13:30:00

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