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MRF5S9070NR1

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesupto1000MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthesedevicesmakethemidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapplicati

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MRF5S9070NR1

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

RFPowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFET Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesupto1000MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthisdevicemakeitidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapplicationsin

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF5S9070NR1

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:TO-270AA 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 68V 880MHZ TO-270-2

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF5S9070NR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    880MHz

  • 增益:

    17.8dB

  • 功率 - 輸出:

    14W

  • 封裝/外殼:

    TO-270AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-270-2

  • 描述:

    FET RF 68V 880MHZ TO-270-2

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多MRF5S9070NR1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-3 10:30:00