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MRF652

RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON

TheRFLine NPNSILICONRFPOWERTRANSISTORS Designedfor12.5VdcUHFlarge–signal,amplifierapplicationsinindustrialandcommercialFMequipmentoperatingto512MHz. ?Guaranteed12.5Volt,512MHzCharacteristics OutputPower=5.0Watts MinimumGain=10dB Efficiency=65(

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MRF652

NPN Silicon RF Power Transistors

NPNSiliconRFPowerTransistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

MRF6522-70R3

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

RFPowerFieldEffectTransistor N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFET DesignedforGSM900frequencyband,thehighgainandbroadbandperformanceofthisdevicemakeitidealforlarge--signal,commonsourceamplifierapplicationsin26voltbasestationequipment. ?Speci

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF652S

RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON

TheRFLine NPNSILICONRFPOWERTRANSISTORS Designedfor12.5VdcUHFlarge–signal,amplifierapplicationsinindustrialandcommercialFMequipmentoperatingto512MHz. ?Guaranteed12.5Volt,512MHzCharacteristics OutputPower=5.0Watts MinimumGain=10dB Efficiency=65(

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MRF652S

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: TheASIMRF652SisDesignedforUHFlargesignal,amplifierApplicationsinFMequipmentupto512MHz. FEATURES: ?CommonEmitter ?PG=10dBat5.0W/512MHz ?Omnigold?MetalizationSystem

ASI

Advanced Semiconductor

MRF652S

NPN Silicon RF Power Transistors

NPNSiliconRFPowerTransistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

MRF6522-70

RF Power Field Effect Transistor

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MRF6522-70

RF Power Field Effect Transistor

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6522-70R3

RF Power Field Effect Transistor

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MRF6522-70R3

RF Power Field Effect Transistor

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6522--70R3

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6522-70R3_06

RF Power Field Effect Transistor

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6522-70R3_08

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    MRF652

  • 功能描述：

    射頻放大器 RF Bipolar Trans

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 類型：

    Low Noise Amplifier

  • 工作頻率：

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB：

    18.5 dBm

  • 輸出截獲點：

    37.5 dBm

  • 功率增益類型：

    32 dB

  • 噪聲系數(shù)：

    0.85 dB

  • 工作電源電壓：

    5 V

  • 電源電流：

    125 mA

  • 測試頻率：

    2.6 GHz

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    QFN-16

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MOTOROLA
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更多MRF652供應(yīng)商 更新時間2025-1-18 10:00:00

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