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MRF5S9070NR1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MRF5S9070NR1
廠商型號(hào)

MRF5S9070NR1

參數(shù)屬性

MRF5S9070NR1 封裝/外殼為T(mén)O-270AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 68V 880MHZ TO-270-2

功能描述

RF Power Field Effect Transistors

封裝外殼

TO-270AA

文件大小

450.71 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Motorola摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-20 23:00:00

MRF5S9070NR1規(guī)格書(shū)詳情

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large-signal, common-source amplifier applications in 26 volt base station equipment.

? Typical Single-Carrier N-CDMA Performance @ 880 MHz, VDD = 26 Volts,

IDQ = 600 mA, Pout = 14 Watts Avg., IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging,

Traffic Codes 8 Through 13)

Power Gain — 17.8 dB

Drain Efficiency — 30

ACPR @ 750 kHz Offset — -47 dBc @ 30 kHz Bandwidth

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 880 MHz, 70 Watts CW

Output Power

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? Integrated ESD Protection

? N Suffix Indicates Lead-Free Terminations

? 200°C Capable Plastic Package

? In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 24 mm, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF5S9070NR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    880MHz

  • 增益:

    17.8dB

  • 功率 - 輸出:

    14W

  • 封裝/外殼:

    TO-270AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-270-2

  • 描述:

    FET RF 68V 880MHZ TO-270-2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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