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MRF6S18100NBR1

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforGSMandGSMEDGEbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1800to2000MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications. GSMApplication ?TypicalGSMPerformance:VDD=28Volt

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF6S18100NBR1

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF6S18100NBR1

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-272BB 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 68V 1.99GHZ TO2724

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF6S18100NBR1

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    1.99GHz

  • 增益：

    14.5dB

  • 功率 - 輸出：

    100W

  • 封裝/外殼：

    TO-272BB

  • 供應商器件封裝：

    TO-272 WB-4

  • 描述：

    FET RF 68V 1.99GHZ TO2724

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FSL
19+
SMD
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21+
TO-272
1800
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房間現(xiàn)貨庫存:QQ:373621633
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更多MRF6S18100NBR1供應商 更新時間2025-1-5 16:04:00

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