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MRF6S18100NBR1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF6S18100NBR1
廠商型號

MRF6S18100NBR1

參數(shù)屬性

MRF6S18100NBR1 封裝/外殼為TO-272BB;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 68V 1.99GHZ TO2724

功能描述

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

封裝外殼

TO-272BB

文件大小

769.86 Kbytes

頁面數(shù)量

21

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-11 11:43:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF6S18100NBR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.99GHz

  • 增益:

    14.5dB

  • 功率 - 輸出:

    100W

  • 封裝/外殼:

    TO-272BB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-272 WB-4

  • 描述:

    FET RF 68V 1.99GHZ TO2724

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