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MRF6S18100NBR1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 FSL

MRF6S18100NBR1參考圖片

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原廠料號：MRF6S18100NBR1品牌：FSL

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MRF6S18100NBR1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商FSL/NXP USA Inc.生產(chǎn)封裝SMD/TO-272BB的MRF6S18100NBR1晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號：

    MRF6S18100NBR1

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    FREESCALE【飛思卡爾】詳情

  • 廠商全稱：

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 中文名稱：

    飛思卡爾半導(dǎo)體

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    21 頁

  • 文件大?。?/span>

    769.86 kb

  • 資料說明：

    RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF6S18100NBR1

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    1.99GHz

  • 增益：

    14.5dB

  • 功率 - 輸出：

    100W

  • 封裝/外殼：

    TO-272BB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-272 WB-4

  • 描述：

    FET RF 68V 1.99GHZ TO2724

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    蘇經(jīng)理

  • 手機(jī)：

    17302670410

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83383789

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場A棟17e

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