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MRF6S18140HR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

DesignedforN-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1805to1880MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplications. Features ?CharacterizedwithSeriesEquivalentLarge-SignalImpedanceP

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6S18140HR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6S18140HR3

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：SOT-957A 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 68V 1.88GHZ NI880

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MRF6S18140HR3_09

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF6S18140HR3

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    1.88GHz

  • 增益：

    16dB

  • 功率 - 輸出：

    29W

  • 封裝/外殼：

    SOT-957A

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    NI-880H-2L

  • 描述：

    FET RF 68V 1.88GHZ NI880

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多MRF6S18140HR3供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-25 13:58:00

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