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MRF6S19100HSR3

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforN-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1930to1990MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplicat

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6S19100HSR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6S19100HSR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6S19100HSR3

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：NI-780S 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRF6S19100HSR5

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：NI-780S 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRF6S19100N

RFPowerFieldEffectTransistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforN-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1930to1990MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplicat

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF6S19100HSR3

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    1.99GHz

  • 增益：

    16.1dB

  • 功率 - 輸出：

    22W

  • 封裝/外殼：

    NI-780S

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    NI-780S

  • 描述：

    FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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全新原裝房間現(xiàn)貨 可長期供貨
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NI-780
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原盒原標(biāo),正品現(xiàn)貨 誠信經(jīng)營 價格美麗 假一罰十
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NXP USA Inc.
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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原裝現(xiàn)貨原盒原包.假一罰十
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更多MRF6S19100HS供應(yīng)商 更新時間2025-1-7 12:15:00

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