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MRF6P27160H

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6P27160HR6

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

2600-2700MHz,35WAVG.,28VSINGLEN-CDMALATERALN-CHANNELRFPOWERMOSFET DesignedforCDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2600to2700MHz.SuitableforWiMAX,WiBroandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABandClassCforWLLapplications. ?Typical

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6P27160H_06

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6P27160H_08

RF Power Field Effect Transistor

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6P27160HR6_06

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6P27160HR5

Package：NI-1230；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 68V 2.66GHZ NI-1230

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRF6P27160HR6

Package：NI-1230；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 68V 2.66GHZ NI-1230

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

詳細參數(shù)

  • 型號：

    MRF6P27160H

  • 制造商：

    FREESCALE

  • 制造商全稱：

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述：

    RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Freescale
23+
高頻管
600
專營高頻管模塊,全新原裝!
 詢價
24+
800
詢價
FREESCALE
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
MOTOROLA
19+
SMD
85491
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
 詢價
FREESCALE
24+
原裝
2789
全新原裝自家現(xiàn)貨!價格優(yōu)勢!
 詢價
FREESCAL
15+
SMD
6698
詢價
MOT/FSL
15+
SMD
56
原裝正品現(xiàn)貨,可開發(fā)票,假一賠十
 詢價
FREESCALE
24+
244
現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價
FSL
23+
TO-59
8510
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
 詢價
FREESCALE
23+
SMD
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
更多MRF6P27160H供應(yīng)商 更新時間2025-1-20 16:32:00

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