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MRF6P3300HR5

RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)

470-860MHz,300W,32VLATERALN-CHANNELRFPOWERMOSFETs Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesfrom470to860MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthisdevicemakeitidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapplicationsin32vol

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF6P3300HR5

RF Power Field Effect Transistor

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF6P3300HR5

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：NI-860C3 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 68V 863MHZ NI-860C3

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRFE6P3300HR5

RFPowerFieldEffectTransistorN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFET

860MHz,300W,32VLATERALN-CHANNELRFPOWERMOSFET Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesfrom470to860MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthisdevicemakeitidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapplicationsin32voltana

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF6P3300HR5

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    857MHz ~ 863MHz

  • 增益：

    20.2dB

  • 功率 - 輸出：

    270W

  • 封裝/外殼：

    NI-860C3

  • 供應商器件封裝：

    NI-860C3

  • 描述：

    FET RF 68V 863MHZ NI-860C3

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MRF6P3300HR5供應商 更新時間2025-1-4 10:30:00

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