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MRF6S18060NBR1

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforGSMandGSMEDGEbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1800to2000MHz.SuitableforTDMA,CDMA,andmulticarrieramplifierapplications. GSMApplication ?TypicalGSMPerformance:VDD=26Vdc

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6S18060NBR1

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6S18060NBR1

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-272BB 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF6S18060NBR1

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    1.99GHz

  • 增益：

    15dB

  • 功率 - 輸出：

    60W

  • 封裝/外殼：

    TO-272BB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-272 WB-4

  • 描述：

    FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FREESCALE/飛思卡爾
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更多MRF6S18060NBR1供應(yīng)商 更新時間2025-1-4 9:02:00

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