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MRF5S21150HSR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplications. ?Typical2-CarrierW-CDMAPerformance:VDD=28Volts,IDQ=1300mA,

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF5S21150HSR3

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:NI-880S 類別:分立半導體產品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產品屬性

  • 產品編號:

    MRF5S21150HSR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.11GHz ~ 2.17GHz

  • 增益:

    12.5dB

  • 功率 - 輸出:

    33W

  • 封裝/外殼:

    NI-880S

  • 供應商器件封裝:

    NI-880S

  • 描述:

    FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MRF5S21150HSR3供應商 更新時間2025-1-3 13:30:00