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MRF5S9101NBR1

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforGSMandGSMEDGEbasestationapplicationswithfrequenciesfrom869to960MHz.Suitableformulticarrieramplifierapplications. GSMApplication ?TypicalGSMPerformance:VDD=26Volts,IDQ=700mA,

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF5S9101NBR1

Package：TO-272BB；包裝：托盤(pán) 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 68V 960MHZ TO-272-4

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MRF5S9101NBR1

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 晶體管類(lèi)型：

    LDMOS

  • 頻率：

    960MHz

  • 增益：

    17.5dB

  • 功率 - 輸出：

    100W

  • 封裝/外殼：

    TO-272BB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-272 WB-4

  • 描述：

    FET RF 68V 960MHZ TO-272-4

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
F
專(zhuān)業(yè)軍工
860
只做原裝正品現(xiàn)貨授權(quán)貨源
 詢(xún)價(jià)
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房間現(xiàn)貨庫(kù)存:QQ:373621633
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更多MRF5S9101NBR1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-22 10:02:00

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