首頁>MRF581G>詳情

MRF581G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 MICROSEMI/美高森美

MRF581G參考圖片

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：MRF581G品牌：Microse

絕對(duì)原裝現(xiàn)貨,價(jià)格低,歡迎詢購!

MRF581G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商Microse/Microsemi Corporation生產(chǎn)封裝to-51/微型-X 陶瓷 84C的MRF581G晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號(hào)：

    MRF581G

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    MICROSEMI【美高森美】詳情

  • 廠商全稱：

    Microsemi Corporation

  • 中文名稱：

    美高森美公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    6 頁

  • 文件大?。?/span>

    162.77 kb

  • 資料說明：

    RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MRF581G

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    18V

  • 頻率 - 躍遷：

    5GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    3dB ~ 3.5dB @ 500MHz

  • 增益：

    13dB ~ 15.5dB

  • 功率 - 最大值：

    1.25W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    50 @ 50mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    200mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    微型-X 陶瓷 84C

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    微型-X 陶瓷 84C

  • 描述：

    RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市歐立現(xiàn)代科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    胡先生/朱先生/林小姐

  • 手機(jī)：

    18033057686

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83222787/0755-23999932

  • 傳真：

    0755-83238256

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北賽格科技園三棟東座10樓A2室

相近型號(hào)