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MRF5812R1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

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  • 廠家型號(hào)：

    MRF5812R1

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON(安森美)

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    12993

  • 產(chǎn)品封裝：

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-3 17:49:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：MRF5812R1品牌：ON(安森美)

公司只做原裝正品,假一賠十

  • 芯片型號(hào)：

    MRF5812R1

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    MICROSEMI【美高森美】詳情

  • 廠商全稱：

    Microsemi Corporation

  • 中文名稱：

    美高森美公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    5 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    173.04 kb

  • 資料說(shuō)明：

    RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MRF5812R1

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    15V

  • 頻率 - 躍遷：

    5GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    2dB ~ 3dB @ 500MHz

  • 增益：

    13dB ~ 15.5dB

  • 功率 - 最大值：

    1.25W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    50 @ 50mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    200mA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SO

  • 描述：

    RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市芯球通科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王經(jīng)理

  • 手機(jī)：

    13760231281

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23816608/13760231281

  • 傳真：

    0755-23816808

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道上步工業(yè)區(qū)101棟510室

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