MRF5812GR1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 MICROSEMI/美高森美

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廠家型號：
MRF5812GR1
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
Microsemi(美高森美)
庫存數(shù)量：
18500
產(chǎn)品封裝：
生產(chǎn)批號：
24+
庫存類型：
優(yōu)勢庫存
更新時間：
2025-1-3 11:13:00

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原廠料號：MRF5812GR1品牌：Microsemi(美高森美)

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MRF5812GR1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商Microsemi(美高森美)/Microsemi Corporation生產(chǎn)封裝8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）的MRF5812GR1晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

芯片型號：
MRF5812GR1
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
MICROSEMI【美高森美】詳情
廠商全稱：
Microsemi Corporation
中文名稱：
美高森美公司
資料說明：
TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
MRF5812GR1
制造商：
Microsemi Corporation
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
卷帶（TR）
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
15V
頻率 - 躍遷：
5GHz
噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：
2dB ~ 3dB @ 500MHz
增益：
13dB ~ 15.5dB
功率 - 最大值：
1.25W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 50mA，5V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
200mA
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：
8-SO
描述：
RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO

供應(yīng)商

企業(yè)：
深圳市廣百利電子有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
鄭先生
手機：
15815598929
詢價：
電話：
0755-83235525
地址：
深圳市龍華區(qū)民治大道展滔科技大廈 A座2102

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MRF5812GR1

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供應(yīng)商

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