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MRF5P21240HR6分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF5P21240HR6
廠商型號(hào)

MRF5P21240HR6

參數(shù)屬性

MRF5P21240HR6 封裝/外殼為NI-1230;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 2.17GHZ NI-1230

功能描述

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

封裝外殼

NI-1230

文件大小

565.53 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-26 18:58:00

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MRF5P21240HR6規(guī)格書詳情

RF Power Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular radio and WLL applications.

? Typical 2-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ =

2200 mA, Pout = 52 Watts Avg., Full Frequency Band, Channel

Bandwidth = 3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01 Probability on CCDF.

Power Gain — 13 dB

Drain Efficiency — 24

IM3 @ 10 MHz Offset — -36 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth

ACPR @ 5 MHz Offset — -39 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth

? Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2140 MHz, 180 Watts CW Output Power

Features

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? Internally Matched for Ease of Use

? Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation

? Integrated ESD Protection

? Lower Thermal Resistance Package

? Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.

? RoHS Compliant

? In Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF5P21240HR6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.11GHz ~ 2.17GHz

  • 增益:

    13dB

  • 功率 - 輸出:

    52W

  • 封裝/外殼:

    NI-1230

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-1230

  • 描述:

    FET RF 65V 2.17GHZ NI-1230

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