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MRF5S19060NBR1

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesfrom1930to1990MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthesedevicesmakethemidealforlarge-signal,commonsourceamplifierap

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF5S19060NBR1

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF5S19060NBR1

Package：TO-272BB；包裝：托盤 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF5S19060NBR1

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    1.99GHz

  • 增益：

    14dB

  • 功率 - 輸出：

    12W

  • 封裝/外殼：

    TO-272BB

  • 供應商器件封裝：

    TO-272 WB-4

  • 描述：

    FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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2019+
SMD
6992
原廠渠道 可含稅出貨
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房間現(xiàn)貨庫存:QQ:373621633
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更多MRF5S19060NBR1供應商 更新時間2025-1-18 16:04:00

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