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MRF5S19100HR3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF5S19100HR3
廠商型號(hào)

MRF5S19100HR3

參數(shù)屬性

MRF5S19100HR3 封裝/外殼為NI-780;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 1.99GHZ NI-780

功能描述

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

封裝外殼

NI-780

文件大小

726.87 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡稱

Motorola摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-12 22:50:00

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MRF5S19100HR3規(guī)格書詳情

The RF MOSFET Line

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies up to 1.9 to 2.0 GHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.

? Typical 2-Carrier N-CDMA Performance: VDD = 28 Volts,

IDQ = 1000 mA, Pout = 22 Watts Avg., Full Frequency Band. IS-95 (Pilot,

Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13) Channel Bandwidth =

1.2288 MHz. Peak/Avg. = 9.8 dB @ 0.01 Probability on CCDF.

Power Gain — 13.9 dB

Drain Efficiency — 25.5

IM3 @ 2.5 MHz Offset — -36.5 dBc @ 1.2288 MHz Channel Bandwidth

ACPR @ 885 kHz Offset — -50.7 dBc @ 30 kHz Channel Bandwidth

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 1960 MHz, 100 Watts CW Output Power

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

? Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation

? Integrated ESD Protection

? Lower Thermal Resistance Package

? Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.

? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 Inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF5S19100HR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.93GHz ~ 1.99GHz

  • 增益:

    13.9dB

  • 功率 - 輸出:

    22W

  • 封裝/外殼:

    NI-780

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-780

  • 描述:

    FET RF 65V 1.99GHZ NI-780

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