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MRF5S19150HR3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MRF5S19150HR3 |
| 參數(shù)屬性 | MRF5S19150HR3 封裝/外殼為SOT-957A；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 |
| 功能描述 | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 文件大小 |
439.88 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Freescale Semiconductor, Inc |
| 企業(yè)簡稱 |
freescale【飛思卡爾】 |
| 中文名稱 | 飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-5 20:00:00 |
MRF5S19150HR3規(guī)格書詳情
1930-1990 MHz, 32 W AVG., 28 V 2 x N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
Designed for PCN and PCS base station applications at frequencies from 1900 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.
? Typical 2-Carrier N-CDMA Performance for VDD = 28 Volts, IDQ = 1400 mA, Avg., Pout = 32 Watts Avg., Full Frequency Band, IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13) Channel Bandwidth = 1.2288 MHz. PAR = 9.8 dB @ 0.01 Probability on CCDF.
Power Gain — 14 dB
Drain Efficiency — 26
IM3 @ 2.5 MHz Offset — -36.5 dBc in 1.2288 MHz Bandwidth
ACPR @ 885 kHz Offset — -50 dB in 30 kHz Bandwidth
? Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 28 Vdc, 1960 MHz, 100 Watts CW Output Power
Features
? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
? Internally Matched for Ease of Use
? Qualified Up to a Maximum of 32 V Operation
? Integrated ESD Protection
? Lower Thermal Resistance Package
? Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.
? RoHS Compliant
? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MRF5S19150HR3
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
1.99GHz
- 增益：
14dB
- 功率 - 輸出：
32W
- 封裝/外殼：
SOT-957A
- 供應(yīng)商器件封裝：
NI-880H-2L
- 描述：
FET RF 65V 1.99GHZ NI-880
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
23+ |
NA/ |
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FREESCALE/飛思卡爾 |
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2016+ |
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FREESCALE |
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