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MRF5S21090HR3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF5S21090HR3
廠商型號

MRF5S21090HR3

參數(shù)屬性

MRF5S21090HR3 封裝/外殼為SOT-957A;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 2.11GHZ NI-780

功能描述

To be Used in class AB for PCN-PCS/cellularradio and WLL applications.

文件大小

379.67 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-7 13:26:00

MRF5S21090HR3規(guī)格書詳情

RF Power Field Effect Transistors

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

Designed for W--CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN--PCS/cellular radio and WLL applications.

? Typical 2--carrier W--CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 850 mA,

Pout = 19 Watts Avg., f = 2112.5 MHz, Channel Bandwidth = 3.84 MHz,

PAR = 8.5 dB @ 0.01 Probability on CCDF.

Power Gain — 14.5 dB

Drain Efficiency — 26

IM3 @ 10 MHz Offset — --37.5 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth

ACPR @ 5 MHz Offset — --40.5 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2140 MHz, 90 Watts CW Output Power

Features

? Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters

? Internally Matched for Ease of Use

? Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation

? Integrated ESD Protection

? Lower Thermal Resistance Package

? Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.

? RoHS Compliant

? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF5S21090HR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.11GHz

  • 增益:

    14.5dB

  • 功率 - 輸出:

    19W

  • 封裝/外殼:

    SOT-957A

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-780H-2L

  • 描述:

    FET RF 65V 2.11GHZ NI-780

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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