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MRF6S19100HR3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF6S19100HR3
廠商型號

MRF6S19100HR3

參數(shù)屬性

MRF6S19100HR3 封裝/外殼為SOT-957A;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 68V 1.99GHZ NI-780

功能描述

RF Power Field Effect Transistors

封裝外殼

SOT-957A

文件大小

413.41 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-10 22:34:00

MRF6S19100HR3規(guī)格書詳情

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for N-CDMA base station applications with frequencies from 1930 to 1990 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular radio and WLL applications.

? Typical 2-Carrier N-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 900 mA,

Pout = 22 Watts Avg., f = 1987 MHz, IS-95 (Pilot, Sync, Paging, Traffic

Codes 8 Through 13) Channel Bandwidth = 1.2288 MHz. PAR = 9.8 dB

@ 0.01 Probability on CCDF.

Power Gain — 16.1 dB

Drain Efficiency — 28 IM3 @ 2.5 MHz Offset — -37 dBc in 1.2288 MHz Channel Bandwidth

ACPR @ 885 kHz Offset — -51 dBc in 30 kHz Channel Bandwidth

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 1960 MHz, 100 Watts CW Output Power

Features

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? Internally Matched for Ease of Use

? Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation

? Integrated ESD Protection

? Designed for Lower Memory Effects and Wide Instantaneous Bandwidth Applications

? RoHS Compliant

? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF6S19100HR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.99GHz

  • 增益:

    16.1dB

  • 功率 - 輸出:

    22W

  • 封裝/外殼:

    SOT-957A

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-780H-2L

  • 描述:

    FET RF 68V 1.99GHZ NI-780

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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